买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM50GB170DN2 IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM50GB170DN2

库存数量：27
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO 1700 V
集电极—射极饱和电压 3.4 V
在25 C的连续集电极电流 72 A
栅极—射极漏泄电流 320 nA
功率耗散 500 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 Half Bridge1
封装
相关资料
属性
链接
代理商 BSM50GB170DN2
BSM50GB60DLC
BSM50GD120DLC
BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2(6)
BSM50GD120DN2E3226
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公司名
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北京天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪先生
  • BSM50GB170DN2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 127.112 127.112
    10 117.48 1174.8